GR740 CPU와 같이 사용하는 3D Plus SDRAM은 상용 메모리를 System-In-Package (SIP)한 제품이다. 따라서 해당 메모리는 근본적으로 Radiation 내성이 전혀 되어있지 않아서 Bit Upset Rate 이 매우 높다. 하지만 이렇게 Upset이 발생하여도 GR740 SDRAM 제어기가 더 빠르게 전영역을 Scrub하여 Single Bit Upset이 Multi Bit Upset으로 발전할 가능성을 차단하는 것이 중요하다. 이를 위해 지상에서 Single Bit Error 발생 상황을 시험하기 위해서 는 Bit Upset을 모사하는 실시간 Error Injection이 필요하며, 그 결과로 아무런 영향없이 소프트웨어가 잘 실행되는 것을 검증하는 것이 필요하다. 본 논문에서는 선정한 SDRAM을 바탕으로 Radiation해석을 통한 Upset Rate을 제시하고, 이때, 지상에서 실시간 Error Injection하는 방법을 구현한 결과를 제시한다.

Introduction of GR740 SDRAM Radiation Resistance and Real-Time Error Injection

Yun-Ki Lee*, Jae-Ho Cho, Woo-Jae Kang

The 3D Plus SDRAM used with the GR740 CPU is a system-in-package (SIP) of commercial memory. Therefore, the memory is essentially not Radiation resistant at all, so the Bit Upset Rate is very high. However, it is important for the GR740 SDRAM controller to scrub the entire area faster even if Upset occurs, preventing the possibility of Single Bit Upset developing into Multi Bit Upset. To this end, real-time Error Injection that simulates Bit Upset is required to test the occurrence of Single Bit Error on the ground, and as a result, it is necessary to verify that the software runs well without any impact. In this paper, the Upset Rate through Radiation analysis is presented based on the selected SDRAM, and the results of implementing a real-time error injection method on the ground are presented.

Keywords: GR740, radiation, SDRAM, EDAC

Speaker 이윤기* 한국항공우주연구원